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為了能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)GaN HEMT功率器件動(dòng)態(tài)特性進(jìn)行精準(zhǔn)測(cè)試，對(duì)應(yīng)的測(cè)試系統(tǒng)往往需要注意以下幾點(diǎn)。(實(shí)測(cè)視頻見(jiàn)文中~)

1. 測(cè)量設(shè)備具有足夠的帶寬，確保開(kāi)關(guān)過(guò)程不被濾波

針對(duì)此要求，泰克科技的功率器件動(dòng)態(tài)特性測(cè)試系統(tǒng)DPT1000A中配置了業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的示波器MSO5（1GHz帶寬）、光隔離探頭TIVP1（1GHz帶寬）、高壓無(wú)源探頭TPP0850（800MHz帶寬）、Shunt（500MHz帶寬）

2. 探頭與測(cè)量點(diǎn)之間實(shí)現(xiàn)小回路連接，減小測(cè)量回路中額外引入的寄生參數(shù)，避免測(cè)量結(jié)果中出現(xiàn)并不存在的震蕩或其他異常波形

3. 控制測(cè)試板中功率回路和驅(qū)動(dòng)回路的電感，避免開(kāi)關(guān)波形出現(xiàn)嚴(yán)重震蕩或超出器件安全工作范圍

針對(duì)要求2和3，泰克科技為GaN HEMT功率器件提供了專(zhuān)用測(cè)試板以確保測(cè)試效果，其具有以下特點(diǎn)：

a. 元器件布局緊湊、驅(qū)動(dòng)電路靠近器件，盡量減小功率回路和驅(qū)動(dòng)回路電感

b. 針對(duì)不同封裝類(lèi)型的器件，提供焊接和壓接兩種形式，既可以避免傳統(tǒng)Socket引入過(guò)量的寄生電壓，又能夠確保器件牢固可靠

c. 光隔離探頭TIVP1、高壓無(wú)源探頭TPP0850與PCB連接時(shí)采用專(zhuān)用測(cè)試座，盡量減少了引入測(cè)量回路的電感，同時(shí)還確保了測(cè)量的重復(fù)性

以TO-252測(cè)試板為例，我們可以看到其上的各功能模塊

下管器件：量芯微的1200伏氮化鎵器件GPIHV15DK

上管器件：TO-252封裝的1200伏碳化硅二極管

測(cè)試點(diǎn)：柵極的信號(hào)的測(cè)試點(diǎn)，主回路電流的測(cè)試點(diǎn)，源漏極Vds的電壓的測(cè)試點(diǎn)

泰克科技

泰克DPT1000A功率器件動(dòng)態(tài)特性測(cè)試系統(tǒng)集成了MSO58B高分辨率多通道示波器、光隔離探頭以及雙通道的任意波形發(fā)生器等產(chǎn)品，可實(shí)現(xiàn)：

- 定制化系統(tǒng)設(shè)計(jì) & 自動(dòng)化測(cè)試軟件

- 高帶寬/高分辨率測(cè)試設(shè)備 , 在高速開(kāi)關(guān)條件下準(zhǔn)確表征功率器件

- 覆蓋高壓、中壓、低壓、pmos、GaN 等不同類(lèi)型，不同封裝芯片測(cè)試

- 可以提供單脈沖、雙脈沖、反向恢復(fù)、Qg、短路測(cè)試等測(cè)試功能

傳統(tǒng)氮化鎵器件多用于消費(fèi)類(lèi)電子市場(chǎng)，研發(fā)高壓氮化鎵器件將有助于在電力電子，新能源和電動(dòng)汽車(chē)行業(yè)開(kāi)拓新的應(yīng)用市場(chǎng)。量芯微（GaNPower）是全球第一家推出1200V高壓硅基氮化鎵功率器件的廠(chǎng)家。這次測(cè)試的1200伏TO-252封裝的氮化鎵器件GPIHV15DK，在市場(chǎng)上具有標(biāo)志性意義，傳統(tǒng)的氮化鎵功率器件高電壓普遍停留在低壓應(yīng)用。進(jìn)入到1200V意味著氮化鎵器件在800伏電驅(qū)或其他高壓應(yīng)用上將發(fā)揮重要作用，同時(shí)相比于碳化硅器件，在成本上也會(huì)有更大的優(yōu)勢(shì)，證明未來(lái)高壓氮化鎵器件在工業(yè)和能源應(yīng)用市場(chǎng)將會(huì)有更大的發(fā)展空間。